GaAs и GaN (широкозонные полупроводники)
💎GaAs and GaN (Wide Bandgap Semiconductors)
GaAs (gallium arsenide): bandgap 1.43 eV, high electron mobility. Applications: microwave amplifiers (5G), space solar cells (30% efficiency). GaN (gallium nitride): 3.4 eV, high power/temperature. Applications: chargers (GaN 65W more compact), LEDs (blue/white)
Article body and graph labels may still appear in Russian where English translations have not been added yet.
Loading map...
❓Часто задаваемые вопросы
GaAs и GaN (широкозонные полупроводники) — это тема о правилах, механизмах и практиках в своей области. Она помогает понять, как принимаются решения и к каким последствиям они приводят.