💎GaAs и GaN (широкозонные полупроводники)
GaAs (арсенид галлия): запрещённая зона 1.43 эВ, высокая подвижность электронов. Применение: СВЧ-усилители (5G), солнечные батареи космоса (30% КПД). GaN (нитрид галлия): 3.4 эВ, высокая мощность/температура. Применение: зарядные устройства (GaN 65W компактнее), светодиоды (синие/белые).
📖6 мин чтения📊Уровень 6📅19 февраля 2026 г.
🗺️ Mind Map
Загрузка карты...
❓Часто задаваемые вопросы
GaAs и GaN (широкозонные полупроводники) — это тема о правилах, механизмах и практиках в своей области. Она помогает понять, как принимаются решения и к каким последствиям они приводят.